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本发明公开了一种背接触异质结太阳能电池制作方法，其包括：提供N型硅片；在所述硅片的正面依次镀钝化膜层、增透层；在所述硅片的背面依次镀本征非晶硅层、P型非晶硅层；在所述硅片的背面形成蚀刻区域，移除蚀刻区域的本征非晶硅和P型非晶硅层；在硅片背面...
该专利属于福建金石能源有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过福建金石能源有限公司授权不得商用。

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