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本发明公开了一种单线圈驱动电路的限流保护结构包括放大器、第一MOS管、第二MOS管、第三MOS管、第四MOS管、第五MOS管、第六MOS管、采样电阻和负载电阻，所述放大器的输出端连接所述第一MOS管的栅极，所述第一MOS管的漏极和所述第三M...
该专利属于鑫雁电子科技(上海)有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过鑫雁电子科技(上海)有限公司授权不得商用。

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