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本申请公开了一种单扩散区切断的形成方法，涉及半导体制造领域。该方法包括：在硅衬底上形成若干条状鳍片和虚拟栅极，虚拟栅极的两侧形成有侧墙；在条状鳍片上形成源极和漏极；沉积层间介质层，并对层间介质层进行CMP，露出虚拟栅极的顶部；将虚拟栅极替换...
该专利属于上海华力集成电路制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华力集成电路制造有限公司授权不得商用。

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