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本发明提供了一种TFT阵列基板的制备方法及TFT阵列基板，主要包括：在铜电极经刻蚀形成源漏极金属膜层后，对后续剥离工艺分两步进行：第一步对所述源漏极金属膜层上的所述光刻胶进行干法剥离，以去除部分所述光刻胶；第二步在对所述源漏极金属膜层上的剩...
该专利属于深圳市华星光电技术有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过深圳市华星光电技术有限公司授权不得商用。

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