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本发明公开了一种后掺杂式N型接触钝化电池，包括N型硅片、正面结构以及背面结构，背面结构包括隧穿层、n+多晶硅层、背面钝化层以及背面金属电极，隧穿层、n+多晶硅层以及背面钝化层沿渐远N型硅片的方向依次设置，N型接触钝化电池还包括本征多晶硅层和...该专利属于协鑫集成科技股份有限公司;协鑫集成科技(苏州)有限公司;张家港协鑫集成科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过协鑫集成科技股份有限公司;协鑫集成科技(苏州)有限公司;张家港协鑫集成科技有限公司授权不得商用。