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本发明公开一种半导体衬底和将衬底层与其上功能层分离的方法，所述半导体衬底包括：衬底层，所述衬底层包括通过离子注入形成为衬底主体层、位于衬底主体层一侧的离子损伤层以及位于所述离子损伤层上的衬底薄膜层，所述衬底薄膜层通过半导体制备形成为功能层；...
该专利属于胡兵;胡荣所有，仅供学习研究参考，未经过胡兵;胡荣授权不得商用。

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