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本发明公开了一种表面等离激元增强型InGaN/GaN多量子阱光电极，在基片中刻蚀形成贯穿p‑GaN层，深至多量子阱有源层的纳米柱结构，所述纳米柱之间在多量子阱有源层的位置填充有等离金属。并公开了其在作为太阳能光电化学电池的工作电极中的应用，...
该专利属于南京集芯光电技术研究院有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过南京集芯光电技术研究院有限公司授权不得商用。

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