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本发明公开了一种基于镧氧化物的RRAM，包括由下至上依次层叠设置的基底、阻变氧化层和上电极层；所述基底包括透明玻璃层和下电极层；所述阻变氧化层为La...
该专利属于西交利物浦大学所有，仅供学习研究参考，未经过西交利物浦大学授权不得商用。

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