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本发明提供一种功率半导体器件结构及其封装方法,结构包括集电极钼板、至少一个芯片组件、栅极组件和塑封介质;至少一个芯片组件和栅极组件分别固定在集电极钼板上,塑封介质通过塑封工艺将至少一个芯片组件和栅极组件进行包覆,每个芯片组件包括功率半导体器...该专利属于全球能源互联网研究院有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过全球能源互联网研究院有限公司授权不得商用。
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本发明提供一种功率半导体器件结构及其封装方法,结构包括集电极钼板、至少一个芯片组件、栅极组件和塑封介质;至少一个芯片组件和栅极组件分别固定在集电极钼板上,塑封介质通过塑封工艺将至少一个芯片组件和栅极组件进行包覆,每个芯片组件包括功率半导体器...