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本公开提供了一种半导体器件的形成方法，本公开实施例在第一区域的半导体衬底上形成鳍式晶体管结构和对应的导电连接结构的工艺过程中，在第二区域中复用至少部分形成鳍式晶体管结构和对应的导电连接结构的工艺过程以形成至少一个电容结构。由此，在形成鳍式晶...该专利属于中芯国际集成电路制造(天津)有限公司;中芯国际集成电路制造(上海)有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造(天津)有限公司;中芯国际集成电路制造(上海)有限公司授权不得商用。