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本申请属于半导体器件技术领域，提供了一种可控硅器件及其制备方法，其中，衬底层的第一侧设有正面阳极发射区、阴极发射区、绝缘介质层，衬底层的第二侧设有背面阳极发射区，通过在正面阳极发射区上设置深入至第一侧表面区域中的阳极隔离区，对可控硅器件的击...
该专利属于深圳市德芯半导体技术有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过深圳市德芯半导体技术有限公司授权不得商用。

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