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本发明涉及一种一维分级结构薄壁BN微米管的制备方法，所述制备方法主要是将含硼前驱体置入管式炉中，通入氮化反应气体加热至1000~1200℃，保温2h以上，即可获得大批量高品质的一维氮化硼分级结构材料。本发明无需使用基底，制备工艺简单有效，简...
该专利属于桂林理工大学所有，仅供学习研究参考，未经过桂林理工大学授权不得商用。

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