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一种MQW结构InGaN蓝光探测器制造技术
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文档序号:23375812
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本实用新型公开了一种MQW结构InGaN蓝光探测器,包括图形化蓝宝石衬底、非故意掺杂GaN缓冲层、N型重掺杂GaN欧姆接触层、InGaN/GaN多量子阱MQW吸收层、P型掺杂GaN欧姆接触层、P型欧姆接触电极、介质钝化层、N型欧姆接触电极和...
该专利属于南京紫科光电科技有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过南京紫科光电科技有限公司授权不得商用。
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