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氧化物半导体装置以及氧化物半导体装置的制造方法制造方法及图纸
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下载氧化物半导体装置以及氧化物半导体装置的制造方法的技术资料
文档序号:23366039
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在抑制异种材料向肖特基界面扩散的同时,提高被施加反向电压时的耐压。氧化物半导体装置具备:n型的氧化镓外延层(2);p型的氧化物半导体层(5),是与氧化镓外延层的材料不同的材料的氧化物;电介体层(7),以覆盖氧化物半导体层的侧面的至少一部分的...
该专利属于三菱电机株式会社所有,仅供学习研究参考,未经过三菱电机株式会社授权不得商用。
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