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本发明公开了一种逆导型绝缘栅双极晶体管及其制备方法，该制备方法包括：在衬底的正面形成MOS结构，在衬底的背面形成场终止层；在场终止层上注入第一导电类型离子，对第一导电类型离子进行激光退火，形成第一导电类型集电极层；在第一导电类型集电极层中注...该专利属于全球能源互联网研究院有限公司;国网江苏省电力有限公司电力科学研究院所有，仅供学习研究参考，未经过全球能源互联网研究院有限公司;国网江苏省电力有限公司电力科学研究院授权不得商用。