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本发明涉及一种超结MOSFET结构及其工艺制造方法。本发明超结MOSFET的P柱由P型氧化膜BSG构成，通过在Si衬底片表面生长N型外延层，然后刻蚀深沟槽，接着在深沟槽内填充BSG材料，最后高温退火回流使BSG材料中Boron扩散至深沟槽外...
该专利属于龙腾半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过龙腾半导体有限公司授权不得商用。

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