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本发明公开了一种多层存储结构透射电子显微镜原位电学测试单元制备方法，所涉及加工的多层存储结构测试单元用于TEM原位电学测试，包括相变存储单元或阻变存储单元，依次由金属电极A层、存储材料层、金属电极B层、选通管材料层和金属电极C层构成。本发明...
该专利属于华东师范大学所有，仅供学习研究参考，未经过华东师范大学授权不得商用。

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