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本发明提出了一种硅异质结太阳电池的铜电极的包覆方法。该方法包括在沉积有透明导电氧化物薄膜的硅异质结结构表面形成具有一定图案的掩膜；在掩膜窗口位置依次电镀金属铜和金属锡；去除非电极区域的掩膜，使其下方的TCO薄膜暴露；将电池浸入锡盐溶液中，以...
该专利属于国家电投集团科学技术研究院有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过国家电投集团科学技术研究院有限公司授权不得商用。

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