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本发明公开了一种RC‑IGBT半导体器件，在1个半导体衬底形成有IGBT和FWD，IGBT具有p型基极层和n型漂移层和多个沟槽栅极结构，栅电极穿过p型基极层，p型基极层由栅电极分成多个间隔区域；在间隔区域中，p型基极层上表面设置有p+发射极...
该专利属于上海睿驱微电子科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海睿驱微电子科技有限公司授权不得商用。

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