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本发明公开了一种双面热管冷却的IGBT封装结构，该IGBT封装结构包括上水冷板、下水冷板、上热管、下热管、IGBT芯片、FWD芯片、焊料层、上下覆铜基板以及上下绝缘基板。采用上下覆铜基板结构将IGBT的发射极和FWD的阳极通过覆铜基板连接，...
该专利属于上海睿驱微电子科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海睿驱微电子科技有限公司授权不得商用。

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