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本发明实施例提供了一种半导体结构及其形成方法，方法包括提供基底；在基底上形成栅介质层；在栅介质层上形成栅极层，栅极层包括位于栅介质层上的第一半导体层和位于第一半导体层上的第二半导体层；去除第一半导体层的部分侧壁，得到剩余第一半导体层，剩余第...该专利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司授权不得商用。