温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明题为“用于碳化硅功率半导体器件上的背侧欧姆接触的碳受控欧姆接触层”。本发明公开了一种半导体功率器件，所述半导体功率器件可包括在其第一表面上形成有有源功率器件的碳化硅SiC层。可在所述SiC层的第二相对表面上形成欧姆接触层，所述欧姆接触...
该专利属于半导体组件工业公司所有，仅供学习研究参考，未经过半导体组件工业公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。