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本发明属于光电化学池半导体电极技术领域，公开了一种富含表层氧空位的钒酸铋电极及其制备方法和应用，该电极包括导电衬底层和钒酸铋层，钒酸铋层由光刻蚀改性得到；先采用金属有机物分解的方法在导电衬底上生长出钒酸铋颗粒，之后将其浸没在含有亚硫酸盐的碱...
该专利属于天津大学所有，仅供学习研究参考，未经过天津大学授权不得商用。

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