专利查询
首页
专利评估
登录
注册
当前位置:
首页
>
专利查询
>
湖北文理学院
>
基于Ⅱ型CdSe/CdTe量子阱的高效光阳极及其制备方法技术
>技术资料下载
下载基于Ⅱ型CdSe/CdTe量子阱的高效光阳极及其制备方法的技术资料
文档序号:23320027
温馨提示:您尚未登录,请点
登陆
后下载,如果您还没有账户请点
注册
,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。
基于Ⅱ型CdSe/CdTe量子阱的高效光阳极及其制备方法,属于光阳极领域。光阳极包括导电基片、吸附于导电基片的n型半导体膜、连接于n型半导体膜的巯基烷酸以及连接于巯基烷酸的Ⅱ型CdSe/CdTe量子阱。Ⅱ型CdSe/CdTe量子阱包括CdS...
该专利属于湖北文理学院所有,仅供学习研究参考,未经过湖北文理学院授权不得商用。
详细技术文档下载地址
温馨提示:您尚未登录,请点
登陆
后下载,如果您还没有账户请点
注册
,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。