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本申请公开了一种晶体管及其制造方法，主要包括：在衬底上形成碳纳米管；在碳纳米管上形成栅叠层结构；形成覆盖栅叠层结构的侧墙；形成至少覆盖侧墙的牺牲层；形成覆盖碳纳米管与牺牲层的金属层，部分位于源漏区域的金属层作为与碳纳米管接触的电接触；去除金...该专利属于北京元芯碳基集成电路研究院;北京华碳元芯电子科技有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过北京元芯碳基集成电路研究院;北京华碳元芯电子科技有限责任公司授权不得商用。