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本发明公开了一种用于纳米级相变存储器单元的新型电极配置结构的加工及使用方法，按照工序依次生长下层电极材料层、中间相变材料层、上层电极材料层；加工时，上层电极材料层基于同一次光刻工序形成外环电极和内部源端电极，且将上层电极材料层和内部源端电极...
该专利属于华中科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过华中科技大学授权不得商用。

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