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一种紫外LED外延片及其制备方法技术
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文档序号:23317328
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本发明提供一种紫外LED外延片及其制备方法,涉及材料化学技术领域,包括以下步骤:1)在N型AlGaN层上生长Q个量子阱结构,每个所述量子阱结构包含量子垒层和量子阱层,2≤Q≤100;2)在第Q个所述量子阱结构上生长末端量子垒层;其中,至少一...
该专利属于马鞍山杰生半导体有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过马鞍山杰生半导体有限公司授权不得商用。
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