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本发明揭露一种具有第IVA族离子注入的MOSFET的结构与制造方法，第IVA族离子注入层设置于基极之中，且第IVA族离子注入层接近于该栅极氧化层与该基极的交界面；其中，第IVA族离子注入层用来改变结构的一通道的性质。本发明提出的第IVA族离...
该专利属于黄智方所有，仅供学习研究参考，未经过黄智方授权不得商用。

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