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本发明属于半导体器件特性测量领域，公开了一种碳化硅外延晶片掺杂浓度三轴型测试方法。其中碳化硅外延晶片掺杂浓度三轴型测试方法的取样模型由3个夹角为120°的半径轴点阵组合而成，并基于三轴取样模型提出了片内和片间掺杂浓度的监控方法。片内掺杂浓度...
该专利属于深圳第三代半导体研究院所有，仅供学习研究参考，未经过深圳第三代半导体研究院授权不得商用。

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