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本发明涉及半导体材料制备技术领域，公开了一种低应力半导体材料制备方法，将一表面带有掩膜的绝缘衬底置于刻蚀气体中，在外加电场作用下使刻蚀气体电离并轰击带有掩膜的绝缘衬底上表面，对绝缘衬底进行图案刻蚀；在绝缘衬底带有刻蚀图案的表面依次生长出多个...
该专利属于广西大学所有，仅供学习研究参考，未经过广西大学授权不得商用。

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