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本发明涉及嵌入式锗硅的制造方法、CMOS器件及锗硅生长区域版图，涉及半导体集成电路工艺，通过改进锗硅生长区域版图，将相邻两个有源区之间的STI区域及与STI区域两侧相邻的有源区的部分区域定义为不透光的特定区域，使得经光刻刻蚀后形成的临近ST...
该专利属于上海华力集成电路制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华力集成电路制造有限公司授权不得商用。

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