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本发明公开了一种具有三维结构的HEMT器件的制备方法，该制备方法包括制备薄膜衬底结构；在每个籽晶结构上依附籽晶结构的形状生长一微米柱；在每个微米柱上依附微米柱的形状生长一功能层；在所有功能层上生长一层具有平滑表面的半导体薄膜层；在半导体薄膜...
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