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本发明涉及一种稀土掺杂的硫化钼单分子层薄膜及其制备方法，使用化学气相沉积方法，使用单温区管式生长炉，在石英管上游放入硫粉，使用低熔点稀土化合物作为合成的前驱体，将低熔点稀土化合物与MoO混合置于瓷舟内并掺入氯化钠；炉中通入载气，在18‑22...
该专利属于天津理工大学所有，仅供学习研究参考，未经过天津理工大学授权不得商用。

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