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本发明公开了一种光刻工艺方法，包括步骤：提供产品晶圆，测量光刻胶涂布之前的曝光面内的第一表面高度分布；涂布光刻胶，测量曝光面内的第二表面高度分布；将曝光面分成n个曝光子区域并计算各曝光子区域中光刻胶的第三厚度值；提供n片测试晶圆并涂布对应的...
该专利属于上海华力集成电路制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华力集成电路制造有限公司授权不得商用。

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