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本发明提供一种石墨烯沟道结构及其制作方法，在硅衬底上的热氧化层的沟槽中形成铜填充层，以及，在所述铜填充层上沉积镍薄膜层后，在所述镍薄膜层中加入碳材料，即而执行退火工艺，以使所述镍薄膜层中的所述碳材料析出在所述镍薄膜层和所述铜填充层之间，形成...
该专利属于上海集成电路研发中心有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海集成电路研发中心有限公司授权不得商用。

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