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本实用新型公开了一种用于多芯片金锡非共晶焊接的封装管壳，包括由氧化铝陶瓷或氮化铝陶瓷构成封装管壳的基底层，该基底层热导率为15W/(m·K)‑240W/(m·K)，所述基底层表面形成有金属化层，该金属化层表面形成有用于防止熔融状态下的吸金导...该专利属于合肥圣达电子科技实业有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过合肥圣达电子科技实业有限公司授权不得商用。
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