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提供了基于离子嵌入材料中两个亚稳定相之间的离子转移的记忆性器件。一方面，提供了一种记忆性器件。记忆性器件包括：第一惰性金属触点；设置在第一惰性金属触点上的相分离材料层，其中相分离材料包括间隙离子；第二惰性金属触点，设置在相分离材料层上。相分...
该专利属于国际商业机器公司所有，仅供学习研究参考，未经过国际商业机器公司授权不得商用。

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