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本发明提供一种多层SOI及其制备方法，所述多层SOI包括：所述多层SOI的顶层为硅层；所述多层SOI的中间层为氧化层/Si/氧化层依次交替排布形成的堆叠结构；所述多层SOI的衬底为硅层。本发明的多层SOI及其制备方法，制备过程简单易行，可以...
该专利属于沈阳硅基科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过沈阳硅基科技有限公司授权不得商用。

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