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本发明提供一种金属硬掩膜氮化钛颗粒缺陷的改善方法，提供一介电层，在所述介电层上以高氮气氛围溅射第一TiN层，所述第一TiN层延其厚度方向含氮量均匀；将步骤一中的所述高氮气氛围过渡至低氮气氛围，在所述第一TiN层上溅射第二TiN层，所述第二T...
该专利属于上海华力集成电路制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华力集成电路制造有限公司授权不得商用。

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