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本发明提供一种基于柔性衬底的半导体外延结构、VCSEL及制作方法，采用氟金云母作为衬底，既解决了现有半导体衬底不可弯折、不易剥离的问题，又兼顾了半导体器件的温度要求。对于缓冲层，多层第一GaInP缓冲层逐层渐变，呈现阶梯渐变趋势，通过在In...
该专利属于厦门乾照半导体科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过厦门乾照半导体科技有限公司授权不得商用。

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