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本发明提供一种集成ESD防护的Trench VDMOS器件及制造方法，包括Trench VDMOS结构和ESD保护结构；Trench VDMOS结构包括元胞区和终端保护区，所述终端保护区采用沟槽结构，包括一个截止环和至少一个分压环，ESD保...
该专利属于珠海迈巨微电子有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过珠海迈巨微电子有限责任公司授权不得商用。

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