温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明公开了一种扩散电阻的版图结构，版图结构包括：阱、位于阱内的扩散区和多叉指MOS晶体管，多叉指MOS晶体管包括：多个平行分布的条状栅极、多个源极和多个漏极，多个条状栅极将扩散区隔成多个扩散区域，多个源极和多个漏极交替分布于多个扩散区域内...
该专利属于芯创智(北京)微电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过芯创智(北京)微电子有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。