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本发明提供了一种SOI的制造方法包括：氧化第一硅片或第二硅片，以在第一硅片或第二硅片上形成氧化层；将氢离子分为多次注入至第一硅片或第二硅片内；将第二硅片与第一硅片相贴合，并键合第一硅片和第二硅片，以得到键合片；将键合片退火，退火温度为第一温...
该专利属于沈阳硅基科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过沈阳硅基科技有限公司授权不得商用。

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