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本申请公开了一种NLDMOS器件的制造方法及该NLDMOS器件，包括：提供一衬底；在衬底上形成栅氧化层；对除第一预定区域以外的其它区域的栅氧化层进行去除；在衬底和第一预定区域的栅氧化层上沉积多晶硅层；对除第二预定区域和第三预定区域的其它区域...
该专利属于上海华虹宏力半导体制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华虹宏力半导体制造有限公司授权不得商用。

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