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本实用新型涉及一种具有L型掩蔽层结构的碳化硅MOSFET器件，包括从下至上依次设置的漏电极、N型掺杂衬底层、N型漂移区和P型基区，其中，所述P型基区上设置有P型源区和N型源区；所述P型基区的内部设置有槽栅结构，所述槽栅结构的底部延伸至所述N...
该专利属于陕西半导体先导技术中心有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过陕西半导体先导技术中心有限公司授权不得商用。

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