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本实用新型涉及一种光控晶闸管，其中的光控晶闸管既存在阴极短路点，也存在连接在一起的阴极n+区域，在提高器件dv/dt特性的同时，也不会使器件的α2值减少。因此，当α1与α2之和无限趋近于1，且α2没有减少的情况下，使得器件在适合硅吸收的光波...
该专利属于兰州大学;江苏明芯微电子股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过兰州大学;江苏明芯微电子股份有限公司授权不得商用。

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