温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本实用新型提供一种台面结构PNP型肖特基集电区SOI SiGe HBT结构，包括单晶硅衬底及层叠于单晶硅衬底表面的埋氧层构成的SOI衬底，埋氧层表面顺序层叠有P型重掺杂单晶硅层、金属硅化物薄层、N型重掺杂Si...
该专利属于中证博芯(重庆)半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中证博芯(重庆)半导体有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。