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本发明公开了一种包含由半导体材料（如硅、锗或锑）的交替薄层和介质势垒层组成的量子阱钝化结构的边缘发射激光二极管。半导体层足够薄以形成量子阱，介电层在相邻量子阱之间起着势垒的作用。与表面相邻的半导体层由晶体材料形成，其余的量子阱由非晶材料形成...
该专利属于II-VI特拉华有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过II-VI特拉华有限公司授权不得商用。

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