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本发明公开了一种瞬态角蛋白阻变存储器制备方法，在常温下溶解可溶性角蛋白粉，旋涂制成膜后低温退火20‑50min。接着盖上掩膜板，在上面蒸发沉积一层约90‑120nm的Ag电极。制得基于人发角蛋白的瞬态阻变存储器件。本发明还具体公开了制备步骤...
该专利属于深圳第三代半导体研究院所有，仅供学习研究参考，未经过深圳第三代半导体研究院授权不得商用。

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