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本发明提供了功率器件及其制造方法，所述功率器件具有基于半导体衬底的处于集电极区与漂移区之间的以FS‑IGBT结构形式的场阻止(FS)层，其中所述FS层的厚度以及所述集电极区的杂质密度易于调整，且FS层具有改进的功能。...
该专利属于快捷韩国半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过快捷韩国半导体有限公司授权不得商用。

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